Semiconductor light-emitting element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor light-emitting element
其他题名	Semiconductor light-emitting element
	WATABE SHINICHI; TADATOMO KAZUYUKI
	1992-11-06
专利权人	MITSUBISHI CABLE IND LTD
公开日期	1992-11-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To provide high-luminance by forming a GaInP group layer on a ZnSe substrate. CONSTITUTION:A double hetero structure GaInP group layer 14 is formed on a n-ZnSe substrate 10. Here, the GaInP group layer 14 is configured with an n-ZnSe clad layer 11, p-GaInP active layer 12, and a p-ZnSe clad layer 13. Moreover, the GaInP group layer 14 is formed on a ZnSe substrate 10 with a method selected from LPE(liquid phase epitaxial), MBE (molecular ray epitaxial), VPE (vapor phase epitaxial) etc. Therefore, the ZnSe substrate 10 has light- permeability with respect to red light radiation without light-absorption, thereby achieving high-luminance.
其他摘要	用途：通过在ZnSe衬底上形成GaInP基层来提供高亮度。组成：在n-ZnSe衬底10上形成双异质结构GaInP基层14.这里，GaInP基层14配置有n-ZnSe包层11，p-GaInP有源层12和p-ZnSe。此外，GaInP基层14利用选自LPE（液相外延），MBE（分子射线外延），VPE（气相外延）等的方法形成在ZnSe衬底10上。因此，ZnSe衬底图10所示的光具有相对于红光辐射的透光性而没有光吸收，从而实现高亮度。
申请日期	1991-04-15
专利号	JP1992316374A
专利状态	失效
申请号	JP1991111181
公开（公告）号	JP1992316374A
IPC 分类号	H01L33/08 \| H01L33/28 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78735
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI CABLE IND LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	WATABE SHINICHI,TADATOMO KAZUYUKI. Semiconductor light-emitting element. JP1992316374A[P]. 1992-11-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992316374A.PDF（69KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文