Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor light-emitting element | |
其他题名 | Semiconductor light-emitting element |
WATABE SHINICHI; TADATOMO KAZUYUKI | |
1992-11-06 | |
专利权人 | MITSUBISHI CABLE IND LTD |
公开日期 | 1992-11-06 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To provide high-luminance by forming a GaInP group layer on a ZnSe substrate. CONSTITUTION:A double hetero structure GaInP group layer 14 is formed on a n-ZnSe substrate 10. Here, the GaInP group layer 14 is configured with an n-ZnSe clad layer 11, p-GaInP active layer 12, and a p-ZnSe clad layer 13. Moreover, the GaInP group layer 14 is formed on a ZnSe substrate 10 with a method selected from LPE(liquid phase epitaxial), MBE (molecular ray epitaxial), VPE (vapor phase epitaxial) etc. Therefore, the ZnSe substrate 10 has light- permeability with respect to red light radiation without light-absorption, thereby achieving high-luminance. |
其他摘要 | 用途:通过在ZnSe衬底上形成GaInP基层来提供高亮度。组成:在n-ZnSe衬底10上形成双异质结构GaInP基层14.这里,GaInP基层14配置有n-ZnSe包层11,p-GaInP有源层12和p-ZnSe。此外,GaInP基层14利用选自LPE(液相外延),MBE(分子射线外延),VPE(气相外延)等的方法形成在ZnSe衬底10上。因此,ZnSe衬底图10所示的光具有相对于红光辐射的透光性而没有光吸收,从而实现高亮度。 |
申请日期 | 1991-04-15 |
专利号 | JP1992316374A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1991111181 |
公开(公告)号 | JP1992316374A |
IPC 分类号 | H01L33/08 | H01L33/28 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78735 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MITSUBISHI CABLE IND LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | WATABE SHINICHI,TADATOMO KAZUYUKI. Semiconductor light-emitting element. JP1992316374A[P]. 1992-11-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1992316374A.PDF(69KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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