Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 古谷 章; 菅野 真実; 近藤 真人; 穴山 親志; 棚橋 俊之 | |
| 1994-09-16 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【目的】 半導体レーザにおいて、屈曲した活性層を得るための下側のクラッド層が薄くても単一横モード制御を行うストライプ幅は広くできるようにする。 【構成】 基板(81)は主表面である(100)面と斜面である(111)B面により第1のストライプの順メサを構成する。埋め込み層(82)は基板の(100)面を除いて(111)B面を被うように形成され、埋め込み層の斜面と基板の(100)面とにより第2のストライプの順メサを構成する。第2のストライプの順メサ上に形成されるダブル·ヘテロ構造(83〜85)の台形形状は、第2のストライプの順メサにより決定される。 |
| 其他摘要 | （经修改） 在半导体激光器中，即使用于获得弯曲有源层的下包层很薄，用于进行单横模控制的条带宽度也变宽。 基板（81）通过作为主表面的（100）平面和作为斜面的（111）B平面构成第一条纹的前向台面。形成掩埋层（82）以覆盖除基板的（100）面之外的（111）B平面，并且掩埋层的倾斜面和基板的（100）面构成第二条纹的前向台面到。形成在第二条带的前台面上的双异质结构（83-85）的梯形形状由第二条带的前台面确定。 |
| 申请日期 | 1991-04-23 |
| 专利号 | JP1994260714A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991092341 |
| 公开（公告）号 | JP1994260714A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 伊東 忠彦 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78633 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,菅野 真実,近藤 真人,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994260714A[P]. 1994-09-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994260714A.PDF（462KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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