Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 結晶成長方法 | |
| 其他题名 | 結晶成長方法 |
| 黒田 尚孝 | |
| 1996-06-21 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1996-06-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 半導体基板上にエピタキシャル成長されるII-VI族半導体層に積層欠陥が導入されるのを防止して、発光素子の長寿命化を実現する。 【構成】 [111]B方向に5°オフしたSiドープGaAs(100)基板300上にn型GaAsバッファ層301を形成した後、アンドープZnSeバッファ層302を形成し、その上に本発明に従って、ステップ·フロー·モードの状態でn型ZnS0.06Se0.94バッファ層303を形成する。続いて、その上にn型ZnMgSSeクラッド層304、n型ZnSSe光ガイド層305、アンドープZnCdSe活性層306、p型ZnSSe光ガイド層307、p型ZnMgSSeクラッド層308、p型コンタクト層309を形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法实现发光元件寿命的延长，其中在半导体衬底上外延生长的II-VI族半导体层中防止了放养缺陷。组成：N型GaAs缓冲层301形成在（100）Si掺杂的GaAs衬底300上，其位置偏离5度。然后，在B取向（111）之后，形成未掺杂的ZnSe缓冲层302，并在步进流动模式的状态下在其上形成N型ZnS0.06Se0.04缓冲层303。随后，N型ZnMgSSe包层304，N型ZnSe光导层305，未掺杂的ZnCdSe有源层306，P型ZnSSe光导层307，P型ZnMgSSe包层308和P型接触层309形成在层303上。 |
| 申请日期 | 1994-12-01 |
| 专利号 | JP1996162481A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994321176 |
| 公开（公告）号 | JP1996162481A |
| IPC 分类号 | H01L21/363 | H01L21/20 | H01L21/203 | C30B29/48 | H01S5/00 | C30B23/08 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 尾身 祐助 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78624 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝. 結晶成長方法. JP1996162481A[P]. 1996-06-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996162481A.PDF（53KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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