Manufacture of semiconductor element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of semiconductor element
其他题名	Manufacture of semiconductor element
	JINDOU MASAAKI
	1984-10-15
专利权人	NIPPON DENKI KK
公开日期	1984-10-15
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form a flat active layer having less crystal defect by adding Sn to growing solution containing Te and using N type III-V group compound formed by liquid phase epitaxial grown. CONSTITUTION:A P type GaAs layer 2 is formed by liquid phase epitaxial growth on an N type GaAs substrate 1, selectively etched to form a groove 3 of depth reaching the substrate Then, an N type Al0.4Ga0.6As layer 15, an Al0.12 Ga0.88As active layer 5, a P type Al0.4Ga0.6As layer 6, and a P type GaAs layer 7 are sequentially formed on the substrate by liquid phase epitaxial growth. The solution for growing the layer 15 uses solution which contains Te and Sn added. Thus, the surface of the active layer 15 is formed flat, the layer 5 formed thereon is formed flat, thereby reducing the crystal defect.
其他摘要	用途：通过向含有Te的生长溶液中添加Sn并使用通过液相外延生长形成的N型III-V族化合物，形成具有较少晶体缺陷的平坦有源层。组成：AP型GaAs层2通过在N型GaAs衬底1上的液相外延生长形成，选择性地蚀刻以形成深度达到衬底1的沟槽3.然后，N型Al0.4Ga0.6As层15，通过液相外延生长在基板上依次形成Al0.12Ga0.88As有源层5，P型Al0.4Ga0.6As层6和P型GaAs层7。用于生长层15的溶液使用包含添加的Te和Sn的溶液。因此，有源层15的表面形成为平坦的，其上形成的层5形成为平坦的，从而减少了晶体缺陷。
申请日期	1983-03-30
专利号	JP1984181083A
专利状态	失效
申请号	JP1983054129
公开（公告）号	JP1984181083A
IPC 分类号	H01L21/208 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01S5/24 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78593
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	JINDOU MASAAKI. Manufacture of semiconductor element. JP1984181083A[P]. 1984-10-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984181083A.PDF（204KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文