Semiconductor laser element

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	Semiconductor laser element
其他题名	Semiconductor laser element
	FUKUZAWA TADASHI
	1983-11-15
专利权人	HITACHI SEISAKUSHO KK
公开日期	1983-11-15
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To arbitrarily change the strength of distributed feedback by external signals by a method wherein a reverse conductivity type semiconductor region connected to control terminals which has period becoming the primary, secondary, or tertiary diffraction grating for oscillation frequency is provided in the neighborhood of a laser active layer. CONSTITUTION:A P type Ga0.7Al0.3As clad layer 2, an undoped GaAs layer 3, an N type Ga0.7Al0.3As layer 4, a P type GaAs cap layer 6, and an Au-Ge-Ni electrode 7 are provided on a P type GaAs substrate. Tungsten buried electrodes 5 are provided in the layer 4, and an N type stripe region 11 is provided in the layers 4 and 6. A bonding electrode 14 is provided on the buried electrode, and an N-side bonding electrode is provided on the electrode 7. The voltage given to control terminals can be varied and variable distributed feedback can be given to laser oscillation by a method wherein the reverse conductivity type semiconductor region or the buried electrodes which are connected to control terminals are provided in contact with the laser active layer or in the neighborhood thereof in this manner.
其他摘要	目的：通过一种方法任意改变外部信号的分布反馈强度，其中反向导电型半导体区连接到控制端，该控制端具有作为振荡频率的初级，次级或三级衍射光栅的周期，设置在附近。激光活性层。组成：AP型Ga0.7Al0.3As包层2，未掺杂的GaAs层3，N型Ga0.7Al0.3As层4，P型GaAs盖层6和Au-Ge-Ni电极7 P型GaAs衬底。在层4中设置钨埋入电极5，在层4和6中设置N型条形区域1在埋入电极上设置接合电极14，在电极上设置N侧接合电极7.可以改变给予控制端子的电压，并且可以通过一种方法给予激光振荡可变的分布式反馈，其中反向导电型半导体区域或连接到控制端子的掩埋电极设置成与激光有源层接触。或以这种方式在其附近。
申请日期	1982-05-12
专利号	JP1983196088A
专利状态	失效
申请号	JP1982078255
公开（公告）号	JP1983196088A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/062 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78542
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI SEISAKUSHO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	FUKUZAWA TADASHI. Semiconductor laser element. JP1983196088A[P]. 1983-11-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983196088A.PDF（123KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文