Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	ONODERA NORIAKI
	1987-07-14
专利权人	RICOH CO LTD
公开日期	1987-07-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a desired window effect on the end surface of a laser active layer by forming irregularities to the surface of a substrate, laminating a plurality of semiconductor layers on the surface of the irregularities and using one layer in the semiconductor layers as the active layer emitting light while employing another one layer as an optical waveguide layer. CONSTITUTION:Band-shaped projections 11a with approximately rectangular sections are shaped onto the upper surface of an N-type GaAs substrate 11 through a photolithographic technique, and an N-type Al0.4Ga0.6As clad layer 12, a GaAs active layer 13, a P-type Al0.4Ga0.6As clad layer 14, a P-type Al0.1 Ga0.9As waveguide layer 15, a P-type Al0.4Ga0.6As clad layer 16 and a P-type GaAs cap layer 17 are grown on the substrate 11 in succession through an epitaxial growth method. An insulating layer 18 is formed, a striped opening 18a for confining currents is bored to the insulating layer 18, and a P-type ohmic electrode 19 is shaped. On the other hand, an N-type ohmic electrode 20 is formed onto the back of the substrate 11, and the whole is cloven along a line X-X, thus completing a semiconductor laser device.
其他摘要	用途：通过在基板表面形成不规则性，在不规则表面上层叠多个半导体层，并在半导体层中使用一层作为有源层，在激光有源层的端面上获得所需的窗口效果在采用另一层作为光波导层的同时发光的层。组成：具有近似矩形截面的带状凸起11a通过光刻技术成形在N型GaAs衬底11的上表面上，并且N型Al0.4Ga0.6As覆盖层12，GaAs有源层13，生长P型Al0.4Ga0.6As包层14，P型Al0.1Ga0.9As波导层15，P型Al0.4Ga0.6As包层16和P型GaAs盖层17通过外延生长方法依次在基板11上。形成绝缘层18，用于限制电流的条形开口18a钻到绝缘层18，并且形成P型欧姆电极19。另一方面，在基板11的背面上形成N型欧姆电极20，并且整体沿着线X-X连接，从而完成半导体激光器件。
申请日期	1985-12-30
专利号	JP1987158381A
专利状态	失效
申请号	JP1985298355
公开（公告）号	JP1987158381A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78527
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RICOH CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	ONODERA NORIAKI. Semiconductor laser device. JP1987158381A[P]. 1987-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987158381A.PDF（347KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文