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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	KUSUKI TOSHIHIRO
	1990-04-04
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1990-04-04
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To suppress a leakage current and facilitate reduction of the threshold current of a laser by employing mixed solution of hydrogen bromide, hydrogen peroxide and water or mixed solution of hydrogen bromide, hydrogen peroxide and acetic acid as etchant. CONSTITUTION:An N-type InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3 and a P-type InP cladding layer 4 are deposited over the whole surface of an N-type InP substrate Then, after an SiO2 mask 11 is formed on the top surface of a region where a mesa structure 5 is to be formed, mixed solution of 20cc of water or acetic acid 4cc (47wt%) of hydrogen bromide and 2cc (31wt%) of hydrogen peroxide is employed for etching both sides of the mask 11 until the active layer 3 is exposed on both sides to form the mesa structure 5. Side surfaces where a (111)A face does not exist are formed under a constricted part of the mesa structure 5, in other words on the sides where the side surface of the active layer 3 are exposed. Then current blocking layers 6 and 7 are deposited. After the mask 11 is removed, insulating layers 8 and electrodes 9 and 10 are formed and the device is completed by cleaving.
其他摘要	用途：通过使用溴化氢，过氧化氢和水的混合溶液或溴化氢，过氧化氢和乙酸的混合溶液作为蚀刻剂来抑制漏电流并有助于降低激光的阈值电流。组成：N型InP缓冲层2，InGaAsP有源层3和P型InP包层4沉积在N型InP衬底1的整个表面上。然后，在形成SiO2掩模11之后在要形成台面结构5的区域的顶部表面，使用20cc水或乙酸4cc（47wt％）溴化氢和2cc（31wt％）过氧化氢的混合溶液来蚀刻两侧。掩模11直到有源层3在两侧暴露以形成台面结构5.在台面结构5的收缩部分下方形成在（111）A面不存在的侧面，换言之，在其侧面有源层3的侧表面暴露。然后沉积电流阻挡层6和7。在去除掩模11之后，形成绝缘层8和电极9和10，并通过切割完成器件。
申请日期	1986-01-16
专利号	JP1990013470B2
专利状态	失效
申请号	JP1986006754
公开（公告）号	JP1990013470B2
IPC 分类号	H01L21/306 \| H01L21/308 \| H01L33/14 \| H01L33/16 \| H01L33/30 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78456
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	KUSUKI TOSHIHIRO. -. JP1990013470B2[P]. 1990-04-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990013470B2.PDF（319KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文