Production of semiconductor device

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	Production of semiconductor device
其他题名	Production of semiconductor device
	YAMAZAKI SUSUMU
	1986-06-26
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1986-06-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the yield ratio and to decrease the stress on the surface by using an alloy crystalline film, which is lattice-conformed to the constituent material for a compound semiconductor device, as a mask. CONSTITUTION:An n-InP buffer layer 2, an n-InGaAsP light absorption layer 4 and an n-InP multiplication layer 5 are grown on an n-InP base board Then, an AlInAs film 11 with film thickness of about 1,000Angstrom is epitaxially grown on the surface. This AlInAs film 11 is a film which is lattice-informed to the InP multiplication layer 5, having similar expansion coefficient. That is to say that it is widely known that the AlxGayIn1-x-yAs is lattice-informed to the InP, where y=0, and x=0.48 AlInAs are used for the surface protection film and selective growth protective mask.
其他摘要	用途：通过使用与化合物半导体器件的构成材料晶格一致的合金晶体膜作为掩模，提高屈服比并降低表面应力。组成：n + InP缓冲层2，n-InGaAsP光吸收层4和n-InP倍增层5生长在n-InP基板1上。然后，AlInAs膜11的膜厚度为在表面上外延生长约1,000埃。该AlInAs膜11是与InP倍增层5晶格通知的膜，具有相似的膨胀系数。也就是说，众所周知，AlxGayIn1-x-yAs与InP晶格通知，其中y = 0，并且x = 0.48 AlInAs用于表面保护膜和选择性生长保护掩模。
申请日期	1984-12-11
专利号	JP1986139025A
专利状态	失效
申请号	JP1984262325
公开（公告）号	JP1986139025A
IPC 分类号	H01L21/208 \| H01L21/314 \| H01L33/12 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78452
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	YAMAZAKI SUSUMU. Production of semiconductor device. JP1986139025A[P]. 1986-06-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986139025A.PDF（154KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文