Light emitting element

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	Light emitting element
其他题名	Light emitting element
	HACHIMAN AKIHIRO; KOMATSUBARA TADASHI
	1984-12-03
专利权人	TOSHIBA KK
公开日期	1984-12-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain the titled element of a high luminous efficiency and high speed response excellent in mass productivity and suitable as the light source for optical communication by a method wherein the hole concentration of a P type GaAlAs active layer doped with Ge is set within a specific range. CONSTITUTION:A P type GaAlAs cld layer 2, a P type GaAlAs active layer 3 doped with Ge, and an N type GaAlAs clad layer 4 are formed by successive lamination on a P type GaAs substrate The first electrode 5 is formed on the lower surface of said substrate 1, and the second electrode 6 on the upper surface of said clad layer 4. In such a construction, the control of the hole concentration of said active layer 3 at 1X10cm-5X10cm causes the response at 20MHz or more and light emitting output at 2mW or more. The hole concentration of said layer 3 is in accordance with the doping amount of Ge doped to this layer 3, and the hole concentration can be easily controlled based on the condition for Ge doping.
其他摘要	目的：获得具有优异的批量生产率的高发光效率和高速响应的标题元素，并且适合作为光通信的光源，其中掺杂Ge的P型GaAlAs有源层的空穴浓度设定在具体范围。组成：AP型GaAlAs cld层2，掺杂Ge的P型GaAlAs有源层3和N型GaAlAs包层4通过在P型GaAs衬底1上连续层压形成。第一电极5形成在下部所述基板1的表面和所述包层4的上表面上的第二电极6.在这种结构中，所述有源层3的空穴浓度控制在1×1017cm-3 -5X10 cm -3导致20MHz或更高的响应和2mW或更高的发光输出。所述层3的空穴浓度与掺杂到该层3的Ge的掺杂量一致，并且可以基于Ge掺杂的条件容易地控制空穴浓度。
申请日期	1983-05-19
专利号	JP1984213181A
专利状态	失效
申请号	JP1983086562
公开（公告）号	JP1984213181A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01L33/40 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78388
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA KK
推荐引用方式 GB/T 7714	HACHIMAN AKIHIRO,KOMATSUBARA TADASHI. Light emitting element. JP1984213181A[P]. 1984-12-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984213181A.PDF（159KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文