Semiconductor laser device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	MARUNO SHIGEMITSU; SUGIMOTO HIROSHI; NOMURA YOSHITOKU; OGATA HITOSHI
	1989-11-20
专利权人	光技術研究開発株式会社
公开日期	1989-11-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To modulate under a low current injecting condition at a high speed by shifting the bottom of the conduction band of a collector layer to an energy position equal to or smaller than n=1 quantum level, and discharging electrons by tunneling from a base layer to the collector layer. CONSTITUTION:An optical waveguide is formed of an emitter layer 2 having a conduction band disposed at its bottom at an energy position for supplying electrons by tunneling to a quantum level of n=2 or more of electrons, and a collector layer 6 having a band gap larger than that of a quantum well and a conduction band disposed at its bottom at an energy position larger than n=1 of quantum level of the electrons as clad layers. A bias voltage is applied between the layers 5 and 6 to shift the bottom of the conduction band of the layer 6 to an energy position having equal to or smaller than n=1 quantum level, thereby discharging the electrons by tunneling from the layer 5 to the layer 6. Thus, a high modulation speed is obtained under low current injecting condition.
其他摘要	目的：通过将集电极层导带的底部移动到等于或小于n = 1量子能级的能量位置，在高速低电流注入条件下调制，并通过隧道从基层释放电子到收集器层。组成：光波导由发射极层2和带有带的集电极层6形成，发射极层2的导电带位于其底部的能量位置，用于通过隧穿提供电子到n = 2或更多的电子的量子能级。间隙大于量子阱和设置在其底部的导带，其能量位置大于作为包层的电子的量子能级的n = 1。在层5和6之间施加偏压以将层6的导带的底部移动到具有等于或小于n = 1量子能级的能量位置，从而通过从层5到隧道的电子放电来放电。因此，在低电流注入条件下获得高调制速度。
申请日期	1988-05-16
专利号	JP1989287982A
专利状态	失效
申请号	JP1988116918
公开（公告）号	JP1989287982A
IPC 分类号	H01S3/10 \| H01S3/06 \| H01S5/00 \| H01S5/06 \| H01S5/34 \| H01S5/50 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78378
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	光技術研究開発株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	MARUNO SHIGEMITSU,SUGIMOTO HIROSHI,NOMURA YOSHITOKU,et al. Semiconductor laser device. JP1989287982A[P]. 1989-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989287982A.PDF（194KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文