Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 狩野 隆司; 大保 広樹 | |
| 2000-10-06 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 電流ブロック層の熱安定性を改善しつつ電流ブロック層にクラックが入りにくい半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 AlまたはBを含むn-第1電流ブロック層12aとInを含むn-第2電流ブロック層12bを交互に積層する。n-第2電流ブロック層12bのバンドギャップをn-第1電流ブロック層12aよりも小さく設定する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光器元件，其在电流阻挡层中具有改善的热稳定性，同时在电流阻挡层中几乎不产生裂缝。解决方案：交替层叠包含Al或B的第一n型电流阻挡层12a和包含In的第二n型电流阻挡层12b。第二n型电流阻挡层2b的带隙小于第一n型电流阻挡层12a的带隙。电流阻挡层中的第一层12a至少包括硼或铝。然后，使条形开口中的电流阻挡层和第二氮化物基半导体层之间的折射率差异变大，并且在实际的折射波导型结构中获得热稳定性。然而，如果当前阻挡层包含铱，则第二层使得包含硼或铝的第一层的应变可以在第二层中被吸收，并且可以防止裂缝。 |
| 申请日期 | 1999-03-24 |
| 专利号 | JP2000277860A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999079471 |
| 公开（公告）号 | JP2000277860A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 福島 祥人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78334 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 狩野 隆司,大保 広樹. 半導体レーザ素子. JP2000277860A[P]. 2000-10-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000277860A.PDF（312KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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