半導体レ-ザ装置及びその製造方法

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	半導体レ-ザ装置及びその製造方法
其他题名	半導体レ-ザ装置及びその製造方法
	大場康夫; 山本基幸; 管原秀人; 石川正行; 渡辺幸雄
	1996-02-14
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1996-02-14
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable a current constricting structure to be formed in self-alignment with an optical waveguide structure and to prevent the increase in contact resistance between a contact layer and an electrode and the deformation of the electrode, by providing a contact layer having a second type of conductivity on a clad layer having the second type of conductivity and a current blocking layer. CONSTITUTION:A semiconductor laser device according to the present invention comprises a semiconductor substrate 11 having a first type of conductivity, a clad layer 14 having the first type of conductivity, an active layer 15 and clad layers 16-18 having a second type of conductivity and having a linear projection 18 thereon. A double hetero junction structure is thus formed on the semiconductor substrate 1 The semiconductor laser device further comprises a current blocking layer 21 formed on this double hetero junction structure except at least a part of the projection 18 of the clad layers having the second type of conductivity, and contact layers 20 and 22 having the second type of conductivity and formed on the second-conductivity-type clad layers 16-18 and the current blocking layer 2 For example, the semiconductor substrate 11 and the contact layers 20 and 22 may be formed of GaAs and the double hetero junction structure 14-18 may be formed of InGaAlP. Further, an InGaP buffer layer 13 of the first type of conductivity is provided between the GaAs substrate 11 and the InGaAlP clad layer 14 having the first type of conductivity.
其他摘要	目的：通过提供具有第二接触层的接触层，使电流限制结构能够与光波导结构自对准地形成并防止接触层和电极之间的接触电阻的增加以及电极的变形具有第二类导电性和电流阻挡层的包层上的导电类型。组成：根据本发明的半导体激光器件包括具有第一类导电性的半导体衬底11，具有第一类导电性的包层14，有源层15和具有第二类导电性的包层16-18。并且在其上具有线性投影18。由此形成双异质结结构半导体激光器件还包括形成在该双异质结结构上的电流阻挡层21，除了具有第二类导电性的包层的突起18的至少一部分，以及接触层20和22之外具有第二类导电性并形成在第二导电类型包层16-18和电流阻挡层21上。例如，半导体基板11和接触层20和22可以由GaAs和双杂质形成。结结构14-18可以由InGaAlP形成。此外，在GaAs衬底11和具有第一导电类型的InGaAlP覆层14之间提供第一类导电性的InGaP缓冲层13。
申请日期	1986-02-28
专利号	JP1996015228B2
专利状态	失效
申请号	JP1986042934
公开（公告）号	JP1996015228B2
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01L21/308 \| H01S5/223 \| H01L21/306 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01L21/205 \| H01S5/30 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78306
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	大場康夫,山本基幸,管原秀人,等. 半導体レ-ザ装置及びその製造方法. JP1996015228B2[P]. 1996-02-14.

条目包含的文件
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JP1996015228B2.PDF（26KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文