Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Buried semiconductor laser | |
| 其他题名 | Buried semiconductor laser |
| SUGIMOTO MITSUNORI | |
| 1983-02-24 | |
| 专利权人 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 公开日期 | 1983-02-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a buried semiconductor laser capable of operating at high power and high temperature with extremely small leakage current by forming semiconductor layers having a forbidden band width smaller than that of a current block layer at both sides of an active layer. CONSTITUTION:A lower clad layer 31, an active layer 32, an upper clad layer 33 and a cap layer 34 are formed by a liquid phase epitaxial technique on an N type InP substrate 30. Then, the layers 34, 33, 32 are striped by photoetching with an SiO2 film or the like as a mask. Thereafter, an InGaAsP layer 35, a current block layer 36, a buried layer 37 and an N type InGaAsP layer 38 are formed by a liquid phase epitaxial technique. Since the layer 35 has a forbidden band width narrower than a current block layer (P type InP) 36, the gain of an N-P-N transistor 43 is lowered. Accordingly, even if a gate current IG flows, the P-N-P-N structure is not turned ON, and the leakage current IL can be set substantially to zero. |
| 其他摘要 | 目的：通过形成禁带宽度小于有源层两侧电流阻挡层的半导体层，获得能够在高功率和高温下以极小的漏电流工作的掩埋半导体激光器。组成：下层包层31，有源层32，上包层33和盖层34通过液相外延技术在N型InP衬底30上形成。然后，层34,33,32是条纹的通过用SiO 2膜等光刻作为掩模进行光刻。之后，通过液相外延技术形成InGaAsP层35，电流阻挡层36，掩埋层37和N型InGaAsP层38。由于层35具有比当前阻挡层（P型InP）36窄的禁带宽度，所以降低了N-P-N晶体管43的增益。因此，即使栅极电流IG流动，P-N-P-N结构也不导通，并且漏电流IL可以基本上设置为零。 |
| 申请日期 | 1981-08-18 |
| 专利号 | JP1983031592A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1981129056 |
| 公开（公告）号 | JP1983031592A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/227 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78281 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUGIMOTO MITSUNORI. Buried semiconductor laser. JP1983031592A[P]. 1983-02-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1983031592A.PDF（135KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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