Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 三宅 輝明 | |
| 1999-09-17 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1999-09-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 動作電圧を維持しつつ、アスペクト比の小さな半導体レーザを提供することを課題とする。 【解決手段】 活性層5の上方に、活性層への電流通路となるリッジ部10を備える半導体レーザ1において、リッジ10の主要部を第1の層(第2p型クラッド層8)とその上に位置する第2の層(第3p型クラッド層9)によって構成するとともに、前記第1の層8を第2の層9よりもエッチングレートが高い層によって構成し、リッジ部10の上部の傾斜角度bよりもリッジの下部の傾斜角度aを大きく設定した。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有小纵横比的半导体激光器，同时保持工作电压。 解决方案：在设置有脊部10的半导体激光器1中，脊部10用作到有源层5上方的有源层的电流路径，脊10的主要部分被分成第一层（第二p型覆层8）。 （第三p型包覆层9）位于脊部10的上部，第一层8由蚀刻速率比第二层9高的层构成，并且倾斜脊的下部的倾斜角度α设定为大于角度b。 |
| 申请日期 | 1998-02-27 |
| 专利号 | JP1999251678A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998047575 |
| 公开（公告）号 | JP1999251678A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 安富 耕二 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78150 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三宅 輝明. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999251678A[P]. 1999-09-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999251678A.PDF（27KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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