Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 奥山 浩之; 秋本 克洋 | |
| 1993-01-29 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 GaAs基体を用いて短波長発光レーザを構成する。 【構成】 GaAs基体1上にエピキタキシャルクラッド層2,3と活性層4とを形成し、そのクラッド層2,3をMgZnCdS系II-VI属化合物半導体によって構成する。 |
| 其他摘要 | [目的]利用GaAs衬底构建短波长发光激光器。 在GaAs衬底1上形成外延包层2,3和有源层4，并且包层2,3由MgZnCdS基II-VI族化合物半导体构成。 |
| 申请日期 | 1991-07-15 |
| 专利号 | JP1993021893A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991174122 |
| 公开（公告）号 | JP1993021893A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78083 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋. 半導体レーザ. JP1993021893A[P]. 1993-01-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993021893A.PDF（24KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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