Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 伊藤 義行; 松浦 初美; 渡邊 実; 島田 直弘; 栗原 春樹 | |
| 1995-12-22 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 リッジ部の抵抗を低減すると共にリッジ部に並列な部分でのリ-ク電流の発生を抑制しうる半導体レ-ザ及びその製造方法を提供することである。 【構成】 半導体レ-ザは、キャリア濃度を5×1017cm-3とするp-InGaAlPクラッド層16と、キャリア濃度を5×1017cm-3とするp-InGaAlPクラッド層18とキャリア濃度を2×1018cm-3とするp-InGaAlPクラッド層19との2層構造からなるストライプ状のリッジ部と、p-InGaAlPクラッド層16上に設けられたキャリア濃度を2×1018cm-3とするp-GaAsコンタクト層22とを有する。 |
| 其他摘要 | 本发明的目的是提供一种半导体激光器及其制造方法，该半导体激光器能够减小脊部的电阻并抑制在与脊部平行的部分中发生漏电流。 半导体激光器具有p-InGaAlP包层16，载流子浓度为5×10 17 cm -3 ，载流子浓度为5×10 18 cm -3 设定为sup> 17 cm -3 18 cm -3 。 |
| 申请日期 | 1994-06-10 |
| 专利号 | JP1995335972A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994128720 |
| 公开（公告）号 | JP1995335972A |
| IPC 分类号 | H01S5/227 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78060 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 義行,松浦 初美,渡邊 実,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1995335972A[P]. 1995-12-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995335972A.PDF（39KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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