Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 近藤 真人; 穴山 親志; 小路 元 | |
| 1995-10-13 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 半導体レーザに関し、ラテラルpnパターニングの技術を適用して段差基板に半導体レーザを作製することが可能な結晶の面方位組み合わせの自由度を広げることで、その種の半導体レーザの製造を容易化しようとする。 【構成】 (100)面或いは(100)面から(111)B方向に約0°から約10°の範囲で傾斜した面からなる主面及び方向に延在した(311)B面或いは(311)B面に近接した面からなる斜面をもつ基板200及びダブル·ヘテロ構造の構成要素であるp型クラッド層202の一部に導入されたZn及びSe(或いはS)が前記主面上でn型領域203bを生成すると共に斜面上でp型領域203aを生成して構成された電流狭窄層203を備える。 |
| 其他摘要 | 通过对半导体激光器应用横向pn图案化技术来增加能够在阶梯式基板上制造半导体激光器的晶体的表面取向组合的自由度，可以容易地制造这种半导体激光器。我试着去做。 主表面由在（111）B方向上从（100）表面或（100）表面倾斜在约0°至约10°范围内的表面和在中延伸的（311）B表面制成的主表面或者，在主表面上形成Zn和Se（或S），其引入到具有由靠近（311）B平面的表面和作为双异质结构的组成部分的p型包覆层202的一部分组成的斜面的基板200的一部分中。和通过在斜坡上产生p型区域203a而形成的电流限制层203。 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 专利号 | JP1995263796A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994049560 |
| 公开（公告）号 | JP1995263796A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77990 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,小路 元. 半導体レーザ. JP1995263796A[P]. 1995-10-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995263796A.PDF（105KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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