Semiconductor device

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	Semiconductor device
其他题名	Semiconductor device
	ONAKA SEIJI; SASAI YOICHI; TSUJII HIRAAKI; TERASHIGE TAKASHI
	1988-01-26
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1988-01-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To simplify the packaging of a laser into a package and to decrease the cost, by providing a slant groove with respect to the direction of a stripe at a part of the stripe of the semiconductor laser, thereby integrating a photodiode on the same substrate. CONSTITUTION:On the surface of an n-type InP substrate 1, an n-type InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, a P-type InP clad layer 4 and a P-type InGaAsP cap layer 5 are grown as crystals and etched in a stripe shaped inverted mesa pattern. Then, a P-type InP embedded layer 6 and an n-type InP embedded layer 7 are formed by a liquid phase epitaxy method. An Au-Zn electrode 8 is formed on the upper surface, and an Au-Sn electrode 9 is formed on the rear surface. A groove part 10 is obliquely provided with respect to the direction of the stripe at a part of the stripe of such a semiconductor laser. Part of light, which is propagated in the semiconductor laser, is diffracted and diffracted light 11 is obtained. Sufficient intensity for monitoring the intensity of output light 12 of the laser is obtained in this way.
其他摘要	目的：通过在半导体激光器条纹的一部分处设置相对于条纹方向的倾斜槽，从而简化激光器封装到封装中并降低成本，从而将光电二极管集成在同一基板上。组成：在n型InP衬底1的表面上，n型InP缓冲层2，InGaAsP有源层3，P型InP包层4和P型InGaAsP盖层5生长为晶体并以条纹状倒置台面图案蚀刻。然后，通过液相外延方法形成P型InP嵌入层6和n型InP嵌入层7。在上表面上形成Au-Zn电极8，在后表面上形成Au-Sn电极9。在这种半导体激光器的条纹的一部分处，相对于条纹的方向倾斜地设置凹槽部分10。在半导体激光器中传播的光的一部分被衍射，并且获得衍射光11。以这种方式获得用于监视激光器的输出光12的强度的足够强度。
申请日期	1986-07-11
专利号	JP1988018685A
专利状态	失效
申请号	JP1986164058
公开（公告）号	JP1988018685A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77929
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	ONAKA SEIJI,SASAI YOICHI,TSUJII HIRAAKI,et al. Semiconductor device. JP1988018685A[P]. 1988-01-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988018685A.PDF（186KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文