Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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| 其他题名 | - |
| FUJII SADAO; UMENO MASAYOSHI | |
| 1993-02-03 | |
| 专利权人 | KANEGAFUCHI KAGAKU KOGYO KK |
| 公开日期 | 1993-02-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To provide InxGa1-xAsyP1-y crystal having a half-width of photo luminescence spectrum below 40 meV at an ambient temperature and having a large Ga content, by constituting a substrate of specific gallium arsenide phosphide, and by growing with liquid growth using In as a melt. CONSTITUTION:A substrate is made of GaAs1-zPz (0<=z<=0.5) crystal. Selecting a Ga content in a melt being In from among a range above the threshold Ga concentration and selecting an As content from among a range below the threshold As concentration, liquid phase epitaxial growth is executed. The z of the GaAs1-zPz substrate is required to be z>=0.5, and is preferably z<=0.4. In particular, for the purpose of providing a light emitting device of a visible light range, it is more preferable to be z>=0. Within In to be used as a melt, raw materials of Ga, As and P for growing InxGa1-xAsyP1-y crystal are contained. A Ga raw material such as metal Ga, InGa alloy, GaP or GaAs, an As raw material such as As, As4, GaAs or InAs, and a P raw material such as P4, InP or GaP, may be employed. |
| 其他摘要 | 目的：提供InxGa1-xAsyP1-y晶体，通过构成特定的砷化镓磷化物的衬底，通过使用液体生长生长，在环境温度下具有低于40meV的半宽度光致发光光谱并具有大的Ga含量。在融化中。组成：基板由GaAs1-zPz（0 = 0.5，并且优选z = 0.1。在In中用作熔体，含有用于生长InxGa1-xAsyP1-y晶体的Ga，As和P的原料。可以使用诸如金属Ga，InGa合金，GaP或GaAs的Ga原料，诸如As，As4，GaAs或InAs的As原料，以及诸如P4，InP或GaP的P原料。 |
| 申请日期 | 1985-03-28 |
| 专利号 | JP1993008857B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1985064177 |
| 公开（公告）号 | JP1993008857B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01L21/208 | H01L21/02 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77903 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KANEGAFUCHI KAGAKU KOGYO KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FUJII SADAO,UMENO MASAYOSHI. -. JP1993008857B2[P]. 1993-02-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993008857B2.PDF（323KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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