Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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| 其他题名 | - |
| SUZUKI TOORU | |
| 1991-12-16 | |
| 专利权人 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 公开日期 | 1991-12-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a green visible light laser by holding an active layer consisting of a direct transition type substance, film thickness thereof is approximately the same as a de Broglie wavelength of carriers, by plural layers, conductivity thereof differs to each other, and lattice-aligning the active layer on a substrate. CONSTITUTION:A ZnSwTe1-w layer 2, conditions for lattice-alignment thereof are very excellent and a band gap thereof is large, is crystal-grown on an N type GaAs substrate 1 in the thickness of approximately 2-3mum, and an active layer 3 consisting of direct transition type (AlxGa1-x)y In1-yPzAs1-z (0<=x, y, z<=1), film thickness thereof is approximately the same as a de Broglie wavelength of carriers, is formed on the layer 2 through a molecular-beam epitaxial method. A layer 4 of the qualiy of a material the same as the layer 2 is formed in the thickness of approximately 2-3mum, an N type GaAs layer 5 is formed in approximately 1mum, and a P type impurity is diffused in the width of approximately 5mum in a striped shape to form a diffusion layer 6. Then, ohmic electrodes 7, 8 are formed. |
| 其他摘要 | 用途：为了通过保持由直接过渡型物质组成的有源层获得绿色可见光激光，其膜厚度与载流子的德布罗意波长大致相同，通过多层，其导电性彼此不同，并且晶格- 将有源层对准基板。组成：ZnSwTe1-w层2，其晶格排列的条件非常好，其带隙大，在N型GaAs衬底1上晶体生长，厚度约为2-3μm，有源层由直接过渡型（AlxGa1-x）y In1-yPzAs1-z（0 <= x，y，z <= 1）组成的膜，其膜厚度与载流子的德布罗意波长大致相同，形成于第2层通过分子束外延方法。形成与层2相同的材料质量的层4，其厚度约为2-3μm，N型GaAs层5形成为约1μm，并且P型杂质以约的宽度扩散。条形的5μm形成扩散层6.然后，形成欧姆电极7,8。 |
| 申请日期 | 1983-01-25 |
| 专利号 | JP1991078792B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1983010276 |
| 公开（公告）号 | JP1991078792B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77866 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUZUKI TOORU. -. JP1991078792B2[P]. 1991-12-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1991078792B2.PDF（127KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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