Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 大仲 清司 | |
| 2001-11-02 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2002-01-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、相対雑音強度の低い半導体レーザを容易に歩留まりよく提供する。 【構成】 半導体レーザのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の一部が台形状のストライプである。電流狭窄層がn-Al0.5Ga0.5As層とn-GaAs電流狭窄層の2層から成っている。 |
| 其他摘要 | 半导体激光器本发明涉及一种在可见光区域具有振荡波长的半导体激光器，并且以高产率容易地提供具有低相对强度强度的半导体激光器。 一种半导体激光器，包括：半导体激光器，具有p-（Al 0.6 Ga 0.4 ） 0.5 In 0.5 P半导体激光器包层条纹的一部分是梯形条纹。电流限制层由两层n-Al 0.5 Ga 0.5 As层和n-GaAs电流限制层组成。 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 专利号 | JP3246148B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993336373 |
| 公开（公告）号 | JP3246148B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L33/06 | H01S5/065 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77837 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,足立 秀人,上山 智,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP3246148B2[P]. 2001-11-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3246148B2.PDF（108KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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