半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

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	半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
其他题名	半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
	大▲崎▼ 裕人; 増井浩司
	2004-03-25
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2004-03-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】紫外線硬化型の樹脂を硬化させるために、SHG素子全体へ同時に紫外線光を照射すると、その熱によりSHG素子自身が著しく高温になり、接着樹脂が硬化する過程でSHG素子の内部に膨張収縮により応力が生じ、せっかく合わせたSHG素子の内部にある導波路と半導体レーザの光軸の位置関係がズレてしまうという課題があった。【解決手段】本発明の光素子を精密位置決め接着固定するための製造方法は、SHG素子を半導体レーザ素子に対して位置合わせした後に、紫外線照射を入射端側と出射端側の2回に分ける、または紫外線を集光して照射範囲を狭くして入射端から出射端へ徐々に移動させることで、SHG素子が著しく高温になることを回避することにより、SHG素子内部に応力や歪みが発生せず、SHG素子と半導体レーザの位置調整した関係を保った状態で接着固定することができる。【選択図】図1
其他摘要	A至固化紫外线固化型的树脂，是在同一时间对整个SHG元件照射紫外线，SHG元件本身由热量变得相当高的温度，在粘合树脂的方法中，SHG元件的内部被固化膨胀应力通过收缩发生时，有一个问题，即波导的光轴和在贵重组合SHG元件的内部中的半导体激光器的偏差位置关系。制造方法用于精细定位粘合剂固定光学元件的本发明中，SHG器件对准的半导体激光元件，将紫外线照射两个入射光端侧和出射端后或紫外线是逐渐从冷凝器移动到缩小到照射范围向出口端的入口端，通过避免SHG元件是SHG元件内部产生显著高温，应力或变形可以在保持SHG元件和半导体激光器之间的调整位置关系的同时粘合和固定SHG元件和半导体激光器。点域1
申请日期	2002-09-04
专利号	JP2004094144A
专利状态	失效
申请号	JP2002258543
公开（公告）号	JP2004094144A
IPC 分类号	G02F1/37 \| H01S5/022 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| G02F1/35
专利代理人	岩橋文雄 \| 坂口智康 \| 内藤浩樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77756
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	大▲崎▼ 裕人,増井浩司. 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置. JP2004094144A[P]. 2004-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2004094144A.PDF（75KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文