半導体レーザ装置及びその製造方法

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	半導体レーザ装置及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置及びその製造方法
	左文字克哉
	2009-11-26
专利权人	PANASONIC CORP
公开日期	2009-11-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】ジャンクションダウン実装する際に、新たなプロセスを追加することなく、リッジ部の近傍及びその周辺部に生じる実装歪みの集中を防止できるようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、基板101上に形成されたMQW活性層104と、MQW活性層104の上に形成され、リッジ部106aを有するp型クラッド層106と、リッジ部の側方に形成された誘電体膜108と、リッジ部の上に形成されたn側オーミック電極109とを有している。p型クラッド層106は、リッジ部106aとその側方部分の平坦部106bとからなり、平坦部上において該平坦部と接する誘電体膜の厚さと平坦部の厚さとの和の最大値は、リッジ部の厚さの最大値よりも大きく、誘電体膜はリッジ部の下部の側面の一部と接し、n側オーミック電極はリッジ部の上面全体及びリッジ部の上部の側面の一部と接している。【選択図】図1
其他摘要	的结下来的时间安装，无需添加新的进程，以允许防止安装在应变和周围的脊部的部分附近产生的浓度。一种半导体激光器件包括形成在衬底101上的MQW有源层104，它是在MQW有源层104上形成，具有脊部分106a的p型包层106，在脊部的一侧形成介电膜108，并在脊部分上形成n侧欧姆电极109。 p型覆层106由脊106a和侧部的平坦部106b的，介电膜的平坦部分的厚度的总和的在上平坦部与平坦部分接触的最大值，比所述脊部的厚度的最大值大，介电膜是在接触与所述脊部的下部的侧表面的一部分，n侧欧姆电极是在接触与上表面的上部的侧表面和所述脊形部分的整个脊的部分它有。点域1
申请日期	2008-05-15
专利号	JP2009277919A
专利状态	失效
申请号	JP2008128261
公开（公告）号	JP2009277919A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	前田弘 \| 竹内宏 \| 嶋田高久 \| 竹内祐二 \| 今江克実 \| 藤田篤史 \| 二宮克也 \| 原田智雄 \| 井関勝守 \| 関啓 \| 杉浦靖也
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77689
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	PANASONIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	左文字克哉. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2009277919A[P]. 2009-11-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009277919A.PDF（66KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文