Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| NUMAI TAKAAKI; MITO IKUO | |
| 1988-12-06 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 1988-12-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a lambda/4 shift type DFB laser having a good yield by making the pitch of the diffraction grating near the phase shift region smaller than the pitch of the diffraction grating corresponding to the Bragg wavelength. CONSTITUTION:On an N-type In substrate 100, a secondary lambda/4 shift diffraction grating is formed using the electron beam lithography. The period is 4800Angstrom in the region to 100mum from the end face, and in the remaining region including the lambda/4 shift position, the period is 3000Angstrom at both sides of the lambda/4 shift position, which is made larger in the nearer position to the end face and 4800Angstrom at the place which is apart from the end face by 100mum. Then, a non-doped InP guide layer 120, an N-type InP buffer layer 130, a non-doped active layer 140 and a P-type clad layer 150 are sequentially grown. With this, a lambda/4 shift type DFB laser having a good yield is obtained. |
| 其他摘要 | 目的：通过使相移区附近的衍射光栅的间距小于对应于布拉格波长的衍射光栅的间距，获得具有良好产量的λ/ 4移位型DFB激光器。组成：在N型In衬底100上，使用电子束光刻形成次级λ/ 4移位衍射光栅。该区域的距离为4800埃，距离端面100mum，在包括λ/ 4档位的其余区域，λ/ 4档位两侧的周期为3000埃，在较近的位置变大在距离端面100mum的地方的端面和4800Angstrom。然后，依次生长未掺杂的InP引导层120，N型InP缓冲层130，非掺杂有源层140和P型覆层150。由此，获得具有良好产率的λ/ 4移位型DFB激光器。 |
| 申请日期 | 1987-05-29 |
| 专利号 | JP1988299390A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1987135860 |
| 公开（公告）号 | JP1988299390A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/12 | H01S5/227 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77639 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | NUMAI TAKAAKI,MITO IKUO. Semiconductor laser device. JP1988299390A[P]. 1988-12-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988299390A.PDF（198KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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