Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| ▲吉▼田 智彦; 須山 尚宏; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 細羽 弘之; 幡 俊雄; 大林 健 | |
| 2001-04-27 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2001-07-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 制御性よく、自励発振を発生させることができ、戻り光の存在下においても、雑音を生じることがない半導体レーザ素子を実現する。 【構成】 半導体レーザ素子の積層構造を、アンドープGa0.88Al0.12As活性層3とn型GaAs電流狭窄層6との間に、高抵抗であり、活性層3よりもエネルギーギャップが大きいp型(Ga0.4Al0.6)0.5In0.5Pクラッド層を挿入する積層構造にする。このような構造によれば、電流狭窄層6の幅を比較的狭くできるので、電流の広がりを光の広がりよりも狭くすることが可能になる。 |
| 其他摘要 | 目的：实现一种半导体激光器元件，其中可以产生具有优异可控性的自激振荡，并且在返回光的存在下不产生噪声。组成：半导体激光元件的多层结构是通过插入P型（Ga0.4Al0.6）0.5In0.5P包层构成的，该层是高电阻的，并且其能隙大于有源层3之间的能隙。未掺杂的Ga0.88Al0.12As有源层3和N型GaAs电流收缩层6.通过这种结构，电流限制层6的宽度可以相对较小，从而可以使电流的扩散比扩散更窄。光 |
| 申请日期 | 1991-12-16 |
| 专利号 | JP3183692B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991332231 |
| 公开（公告）号 | JP3183692B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/065 | H01S5/042 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77611 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲吉▼田 智彦,須山 尚宏,兼岩 進治,等. 半導体レーザ素子. JP3183692B2[P]. 2001-04-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3183692B2.PDF（21KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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