半導体発光装置

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	半導体発光装置
其他题名	半導体発光装置
	大場康夫; 菅原秀人; 渡辺美代子; 石川正行
	1997-06-06
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1997-09-30
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To manufacture a low cost visible light semiconductor laser which is made of InGaAlP and has excellent characteristics by a method wherein a current constriction structure and an optical waveguide structure are formed in a self-aligning manner by utilizing selective growth performed by MOCVD. CONSTITUTION:An N-type GaAs 1st buffer layer 12, an N-type InGaP 2nd buffer layer 13 and so forth are successively formed on an N-type GaAs substrate 11 by MOCVD to form a double-hetero water. Then a stripe-shape mask with 5 mum width is formed on a cap layer by photoetching. Then etching is carried out with mixed solution of hydrobromic acid, bromine and water to from a stripe-shape intermediate contact layer 17. 2nd cladding layer 16 is half-etched to form a stripe-shape mesa. Thereupon, selective etchant for InGaAlP is sulfuric acid or phosphoric acid which is applied at a temperature of 15-130 deg.C. Then, after a wafer is heated and kept in the vapor atmosphere of phosphorus and In at about 800 deg.C to remove a surface oxide film, a P-type GaAs contact layer 18 is made to grow over the whole surface by MOCVD.
其他摘要	目的：制造一种低成本的可见光半导体激光器，它由InGaAlP制成，并且通过利用MOCVD进行选择性生长以自对准方式形成电流收缩结构和光波导结构的方法具有优异的特性。组成：通过MOCVD在N型GaAs衬底11上依次形成N型GaAs第一缓冲层12，N型InGaP第二缓冲层13等，以形成双杂水。然后通过光刻在盖层上形成具有5μm宽度的条形掩模。然后用氢溴酸，溴和水的混合溶液从条形中间接触层17进行蚀刻。对第二包层16进行半蚀刻以形成条形台面。因此，InGaAlP的选择性蚀刻剂是硫酸或磷酸，其在15-130℃的温度下施加。然后，在晶片被加热并保持在约800℃的磷和In的蒸气气氛中以除去表面氧化膜之后，通过MOCVD使P型GaAs接触层18在整个表面上生长。
申请日期	1986-09-26
专利号	JP2659937B2
专利状态	失效
申请号	JP1986225842
公开（公告）号	JP2659937B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	外川英明 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77585
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	大場康夫,菅原秀人,渡辺美代子,等. 半導体発光装置. JP2659937B2[P]. 1997-06-06.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2659937B2.PDF（26KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文