半導体レーザ装置及びその製造方法

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	半導体レーザ装置及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置及びその製造方法
	細井浩行; 牧田幸治
	2008-03-21
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2008-03-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】リッジ部の基板面に対する垂直性及びリッジ部の対称性に優れた構造を持つ半導体レーザ装置において、結晶性が高い電流ブロック層を確実に形成できるようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、基板102の上に形成されたn型クラッド層103と、n型クラッド層103の上に形成された活性層104と、活性層104の上に少なくとも上部がリッジストライプ状に形成されたリッジ部100を有するp型クラッド層105と、p型クラッド層105のリッジ部100の上に形成されたp型コンタクト層110と、p型クラッド層105におけるリッジ部100の側方に形成され、p型コンタクト層110を露出する開口部107aを有するn型電流ブロック層107とを有している。p型コンタクト層110におけるリッジ部100の長手方向の側面は、該側面の上部から下部に向けて外側に傾斜すると共に、面方位に(111)面を含む結晶面を有している。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：在半导体激光器件中确保形成具有高结晶度的电流阻挡层，该半导体激光器件具有与脊部的基板表面垂直和脊部的对称性优异的结构。解决方案：半导体激光器件具有形成在基板102上的n型覆层103，形成在n型覆层103上的有源层104和p型覆层105，其中脊部100至少形成半导体激光器件还具有形成在p型覆层105的脊部100上的p型接触层110和形成n型电流阻挡层107的半导体部分。在p型覆盖层105中的脊部100的侧面上，并且具有暴露p型接触层110的开口部107a。在p型接触层110中的脊部100的长度方向上的侧面是从侧面的上部朝向下部倾斜，同时具有包含（111）面的晶面的面方位角。 Ž
申请日期	2006-09-05
专利号	JP2008066384A
专利状态	失效
申请号	JP2006240331
公开（公告）号	JP2008066384A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/00
专利代理人	前田弘 \| 竹内宏 \| 嶋田高久 \| 竹内祐二 \| 今江克実 \| 藤田篤史 \| 二宮克也 \| 原田智雄 \| 井関勝守 \| 関啓 \| 杉浦靖也
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77550
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	細井浩行,牧田幸治. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2008066384A[P]. 2008-03-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008066384A.PDF（84KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文