Semiconductor device and method of manufacturing the same

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	Semiconductor device and method of manufacturing the same
其他题名	Semiconductor device and method of manufacturing the same
	KASHIMA, YASUMASA; MUNAKATA, TSUTOMU
	2003-05-27
专利权人	OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
公开日期	2003-05-27
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor device includes a substrate formed of a group III element and a group V element, a buffer layer having a thickness of at least 0.5 mum covering an the entire main surface of the substrate, and a selective-area growth layer grown selectively on the buffer layer. The buffer layer includes both the group III element and the group V element. The buffer layer is formed by metalorganic vapor-phase epitaxy.
其他摘要	一种半导体器件，包括由III族元素和V族元素形成的衬底，覆盖衬底的整个主表面的厚度至少为0.5μm的缓冲层，以及选择性地生长在衬底上的选择性区域生长层。缓冲层。缓冲层包括III族元素和V族元素。缓冲层由金属有机气相外延形成。
申请日期	1999-12-07
专利号	US6570189
专利状态	失效
申请号	US09/454609
公开（公告）号	US6570189
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/227 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01L33/06 \| H01L33/12 \| H01L33/14 \| H01L33/30
专利代理人	-
代理机构	MIMURA, JUNICHI
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77489
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KASHIMA, YASUMASA,MUNAKATA, TSUTOMU. Semiconductor device and method of manufacturing the same. US6570189[P]. 2003-05-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6570189.PDF（77KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文