Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 杉浦 勝己 | |
| 1995-11-28 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1995-11-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 クラッド層と電極との間のオーミック性を高め,注入電流の拡がりを抑制した電流狭窄構造を提供する。 【構成】 1)半導体基板 1上に順に積層された一導電型クラッド層 2,活性層3,反対導電型クラッド層 4を有し,電流注入領域以外の該反対導電型クラッド層 4が高抵抗化されてなる半導体発光素子,2)半導体基板 1上に一導電型クラッド層 2,活性層 3,反対導電型クラッド層4を順に積層し,該反対導電型クラッド層上の電流注入領域以外の領域に該反対導電型クラッド層を高抵抗化する不純物を含む半導体からなるキャップ層 8を形成し,該半導体基板に加熱処理を行って該不純物を該反対導電型クラッド層に拡散して高抵抗化領域(4A)を形成する過程を有する。 |
| 其他摘要 | 提供一种电流限制结构，其增强包层和电极之间的欧姆特性并抑制注入电流的扩散。 第一导电类型的包层，有源层和相反导电类型的包层，它们依次堆叠在半导体衬底上，其中除了电流注入区域之外的相反导电型包层具有高电阻2）通过在半导体衬底1上依次层叠一个导电型包层2，有源层3和相反导电型包层4并在相反导电型包层上形成包层而形成的半导体发光元件形成由含有杂质的半导体制成的盖层8，用于增加该区域中相反导电型包层的电阻，并对半导体基板进行热处理，以将杂质扩散到相反导电型包层中，形成高电阻形成（4A）。 |
| 申请日期 | 1994-05-19 |
| 专利号 | JP1995312464A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994105092 |
| 公开（公告）号 | JP1995312464A |
| IPC 分类号 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 井桁 貞一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77474 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1995312464A[P]. 1995-11-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995312464A.PDF（23KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [杉浦 勝己]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [杉浦 勝己]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [杉浦 勝己]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论