Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser | |
其他题名 | Semiconductor laser |
ODA TATSUJI | |
1986-04-16 | |
专利权人 | SONY CORP |
公开日期 | 1986-04-16 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To prevent degradation of performance characteristics due to useless entrappment or reflection of light in a bent activation layer by a method wherein an activation layer is provided with a flat structure in a laser device of a hybrid structure wherein a refractive index guide and gain guide are combined. CONSTITUTION:The surface of a semiconductor substrate 21 is formed flat, whereon a first clad layer 22, activation layer 23 are formed, also flat. On the activation layer 23, a light-absorbing resion 35 is selectively formed, for the construction of a refractive index guide. A second clad layer 24 is formed to fill the light-absorbing region 35, whereafter a current-constricting region 27 is formed, by ion implantation, to serve as a gain guide structure. In this way, by building activation layers flat and free of curvature across the entire region along the length of the hybrid structure, degradation of performance characteristics is prevented that may otherwise be produced due to useless light entrapment. |
其他摘要 | 用途:通过一种方法,防止由于在弯曲的活化层中无用的夹带或反射引起的性能特性的劣化,其中在混合结构的激光装置中激活层具有平坦结构,其中折射率引导和增益引导结合起来。组成:半导体基板21的表面形成为平坦的,其上形成第一包层22,活化层23,也是平坦的。在活化层23上,选择性地形成光吸收树脂35,用于构造折射率导向器。形成第二包层24以填充光吸收区35,然后通过离子注入形成电流限制区27,以用作增益引导结构。以这种方式,通过沿着混合结构的长度在整个区域上构建平坦且无曲率的激活层,防止了由于无用的光捕获而可能以其他方式产生的性能特性的劣化。 |
申请日期 | 1984-09-19 |
专利号 | JP1986074384A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1984196472 |
公开(公告)号 | JP1986074384A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77435 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SONY CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ODA TATSUJI. Semiconductor laser. JP1986074384A[P]. 1986-04-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1986074384A.PDF(400KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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