Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置の製造方法 | |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 越智 誠司; 巳浪 裕之; 板垣 卓士 | |
| 1998-05-22 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 生産効率良く、層厚の異なる複数の領域からなる半導体層を備えた光半導体装置を得ることができる光半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板1上に、その底面に該基板1が露出した異なる幅を有する複数の領域からなるストライプ形状の開口部20を備えた絶縁膜マスク2を形成し、これを用いて、上記基板をウエットエッチングした後、この絶縁膜マスク2を用いて、上記基板1上にn型InP下クラッド層3、アンドープInGaAsP能動層4、及びp型InP上クラッド層5を順次結晶成長させるようにした。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种光学半导体器件制造方法，其能够以高生产率获得包括由具有不同层厚度的多个区域组成的半导体层的光学半导体器件。 解决方案：在基板1上形成具有条形开口部分20的绝缘膜掩模2，该开口部分20由具有不同宽度的多个区域构成，基板1从该区域暴露，并且通过使用该区域，在湿法蚀刻基板之后，通过使用绝缘膜掩模2在基板1上连续地晶体生长n型InP下包层3，未掺杂的InGaAsP有源层4和p型InP上包层5我做到了。 |
| 申请日期 | 1996-10-30 |
| 专利号 | JP1998135563A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996288699 |
| 公开（公告）号 | JP1998135563A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77389 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 越智 誠司,巳浪 裕之,板垣 卓士. 光半導体装置の製造方法. JP1998135563A[P]. 1998-05-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998135563A.PDF（57KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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