Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 伊地知 哲朗; 大久保 典雄 | |
| 2003-02-28 | |
| 专利权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 公开日期 | 2003-05-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 光学損傷の発生が防止された半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 InGaAsよりなる歪量子井戸層が活性層としてGaAs基板上に形成され、平行する二つの劈開面よりなる共振器が形成されている半導体レーザ装置において、共振器面にInGaP層よりなる光学損傷抑制層が形成されている半導体レーザ装置である。 |
| 其他摘要 | 用途：通过在谐振器表面上形成由InGaP层构成的光学损伤抑制层，防止谐振器的光学损伤，从而提高谐振器的可靠性。组成：由n型Al0.3Ga0.7As层组成的下包层，由In0.2Ga0.8As应变量子阱层组成的有源层4，由p型Al0.3Ga0.7As组成的上包层5在n型GaAs衬底上依次形成由p型GaAs层构成的接触层8。然后，在形成宽度约为3μm的抗蚀剂膜9（对应于条带的宽度）之后，从另一区域蚀刻掉接触层8和上包层5的上部以及由其组成的绝缘层6。在上包层的上表面和包层5的侧面以及接触层8上形成SiO2。因此，当在生长温度下在谐振器的表面上形成由InGaP层构成的光学损伤抑制层10时在形成负电极1和正电极7之后，在约600℃的温度下，可以防止谐振器的光学损坏，并且提高谐振器的可靠性。 |
| 申请日期 | 1994-07-13 |
| 专利号 | JP3403247B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994161206 |
| 公开（公告）号 | JP3403247B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/16 | H01S5/34 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77343 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊地知 哲朗,大久保 典雄. 半導体レーザ装置. JP3403247B2[P]. 2003-02-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3403247B2.PDF（21KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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