半導体レ-ザ

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	半導体レ-ザ
其他题名	半導体レ-ザ
	浜田弘喜
	1994-01-26
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	1994-01-26
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a coating film having a thickness of about 200Angstrom and still having a high density and to enable the end faces of a semiconductor laser to be coated with a high yield without deteriorating the optical reflectivity at the end faces, by forming the coating film of Ta2O5. CONSTITUTION:An N-type GaAs substrate 1 having a (100) face on one surface is provided with a 6mum wide and 5mum deep groove. A first clad layer 2, an active layer 3, a second clad layer 4 and a cap layer 5 are deposited on the surface of the substrate 1 in that order. Then, end faces 1a and 1b of a resonator thus constructed is coated with a film of Ta2O5 6 having a thickness of 200Angstrom . The data curve with O mark chain represents the relation between the thicknesses of the Ta2O5 film 6 and the dielectric loss tangent indicating the densities thereof. Another data curve with (x) mark chain represents the same relation of an Al2O3 film formed by means of the high-frequency spattering. The coating film 6 of Ta2O5 can be formed in such a short period as two or three minutes, and therefore little irregularity is caused in the thickness of the film. Consequently, the variation in reflectivity on the end faces can be also limited to 1% or less.
其他摘要	目的：通过形成涂层，获得厚度约200埃且仍具有高密度的涂膜，并使半导体激光器的端面能够以高产率涂覆而不会降低端面的光学反射率Ta2O5电影。组成：在一个表面上具有（100）面的N型GaAs衬底1设有6μm宽和5μm深的凹槽。第一包层2，有源层3，第二包层4和盖层5依次沉积在基板1的表面上。然后，如此构造的谐振器的端面1a和1b涂有厚度为200埃的Ta2O5薄膜。具有O标记链的数据曲线表示Ta2O5膜6的厚度与表示其密度的介电损耗角正切之间的关系。具有（x）标记链的另一数据曲线表示通过高频溅射形成的Al 2 O 3膜的相同关系。 Ta2O5的涂膜6可以在如此短的时间内形成两到三分钟，因此膜的厚度几乎不会产生不规则性。因此，端面上的反射率的变化也可以限制在1％或更小。
申请日期	1985-11-20
专利号	JP1994007636B2
专利状态	失效
申请号	JP1985260407
公开（公告）号	JP1994007636B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	西野卓嗣 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77206
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	浜田弘喜. 半導体レ-ザ. JP1994007636B2[P]. 1994-01-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994007636B2.PDF（15KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文