Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	TSUNEKAWA YOSHIFUMI
	1988-07-12
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1988-07-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable a device to go into a low threshold current oscillation and single transverse mode oscillation by a method wherein an ZnSe layer buried in the top of a heterojunction ridge-geometry waveguide involving III-VI compound semiconductor layers is formed by a specified etchant. CONSTITUTION:On an N-type GaAs substrate 201, an N-type GaAs buffer layer 202, N-type AlxGa1-xAs clad layer 203, AlyGa1-yAs active layer (x>y) 204, P-type AlzGa1-zAs clad layer (z>y) 205, and a P-type GaAs contact layer 206 are stacked up in succession. Next, a resist mask 207 is formed, to be etched into a pattern 208. The mask 207 serves in a process wherein the layers 206 and 205 are locally removed, and then is removed. A ZnSe buried layer 209 is formed, and then the portion of the ZnSe buried layer 209 located on a ridge- geometry optical waveguide is removed by using an etchant composed of one part of nitric acid, 1-10 parts of hydrochloric acid, and 0-10 parts of water, in volume. In this way, a semiconductor laser device capable of a low threshold current oscillation and single transverse mode oscillation may be produced.
其他摘要	目的：通过一种方法使器件进入低阈值电流振荡和单横模振荡，其中掩埋在涉及III-VI化合物半导体层的异质结脊形几何波导顶部的ZnSe层由指定的蚀刻剂形成。组成：在N型GaAs衬底201上，N型GaAs缓冲层202，N型AlxGa1-xAs包层203，AlyGa1-yAs有源层（x> y）204，P型AlzGa1-zAs包层（z> y）205，并且P型GaAs接触层206连续堆叠。接下来，形成抗蚀剂掩模207，以蚀刻成图案208.掩模207用于局部去除层206和205然后被去除的过程。形成ZnSe埋层209，然后通过使用由一份硝酸，1-10份盐酸和0组成的蚀刻剂去除位于脊状几何光波导上的ZnSe埋层209的部分。 -10份水，体积。以这种方式，可以产生能够实现低阈值电流振荡和单横模振荡的半导体激光器件。
申请日期	1986-12-29
专利号	JP1988168064A
专利状态	失效
申请号	JP1986310231
公开（公告）号	JP1988168064A
IPC 分类号	H01L21/308 \| H01L21/465 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77123
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	TSUNEKAWA YOSHIFUMI. Manufacture of semiconductor laser. JP1988168064A[P]. 1988-07-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988168064A.PDF（183KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文