面発光半導体レーザ

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	面発光半導体レーザ
其他题名	面発光半導体レーザ
	駒崎岩男
	1997-03-28
专利权人	オリンパス光学工業株式会社
公开日期	1997-03-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】出力を上げると、基本モードから高次モードへ変換されて安定な光出力が得られない。【解決手段】半導体基板(1) 上に上部分布反射ミラー層(6) と下部分布反射ミラー層(2) 間に発光領域を挟んだ層を形成して共振器を構成する面発光半導体レーザにおいて、前記発光領域の前記半導体基板主面に対して平行な断面形状が長軸および短軸を有するとともに、前記発光領域の側面に設けられた、電流ブロックと光の閉じ込めを行う反射層(7) と、前記上部分布反射ミラー層(6) 上に設けられたp型電極(8) と、前記下部分布反射ミラー層(2) 上でかつ前記反射層(7) の外側に前記共振器は挟むように互いに対向して設けられたn型電極(11a,11b)とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。
其他摘要	要解决的问题：为了通过其中与半导体衬底的主表面平行的发光区域的横截面具有长轴和短轴的结构稳定地获得线性偏振光，在侧面上提供反射层在上部分布反射层上设置上部电极，在反射层外侧的下部分布反射层上形成下部电极，同时夹着谐振器。解决方案：从p型电极8注入的电流通过上分布反射器层6，并在谐振器中发光之后流入下分布反射器层2。由于一个n型电极11a，11b相对于谐振器的短轴或长轴配对，所以电流在朝向电极移动的同时流过谐振器。因此，载流子在谐振器中迁移，同时向电极移动，可以产生线性偏振光，其中光的分布相应地移动。垂直谐振器包括上包层5，下包层4和夹在上分布反射层6和下分布反射层2之间并被其包围的有源层3。
申请日期	1995-09-19
专利号	JP1997083066A
专利状态	失效
申请号	JP1995240016
公开（公告）号	JP1997083066A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77108
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	オリンパス光学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	駒崎岩男. 面発光半導体レーザ. JP1997083066A[P]. 1997-03-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997083066A.PDF（45KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文