半導体レーザモジュール

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	半導体レーザモジュール
其他题名	半導体レーザモジュール
	福嶋丈浩; 原山卓久; 佐々木敬彦
	2009-10-29
专利权人	ADVANCED TELECOMMUNICATION RESEARCH INSTITUTE INTERNATIONAL
公开日期	2009-10-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール300は、半導体レーザ素子100と少なくとも1つの屈折率分布型ロッドレンズ200とを備える。半導体レーザ素子100は、半導体基板10と、半導体基板10上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板10および半導体多層膜は、平坦面101と、平坦面101から突出するように形成され且つ第1および第2の端面を含む積層構造102とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ200は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器模块，能够通过简单的配置实现耦合效率高，定位容差大的耦合。解决方案：半导体激光器模块300设置有半导体激光器件100和至少一个梯度折射率棒透镜200.半导体激光器件100设置有半导体衬底10和层叠在半导体衬底10上的半导体多层膜。半导体多层膜包括从基板侧依次集成的下包层，有源层和上包层。半导体衬底10和半导体多层膜构成平坦表面101，以及形成为从平坦表面101突出的层叠结构102，并且包括第一和第二端面。梯度折射率杆透镜200布置在激光束产生劳埃德反射镜干涉的位置。Ž
申请日期	2008-04-08
专利号	JP2009253108A
专利状态	失效
申请号	JP2008100792
公开（公告）号	JP2009253108A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/20 \| H01S5/00
专利代理人	鎌田耕一 \| 黒田茂
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77095
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ADVANCED TELECOMMUNICATION RESEARCH INSTITUTE INTERNATIONAL
推荐引用方式 GB/T 7714	福嶋丈浩,原山卓久,佐々木敬彦. 半導体レーザモジュール. JP2009253108A[P]. 2009-10-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009253108A.PDF（113KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文