半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	石野正人; 佐々井洋一
	1994-02-02
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1994-02-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain excellent oscillation characteristics and modulation characteristics by a simple structural process by making the thickness of the well layer of a quantum well layer in a first region larger than that of a well layer in a second region. CONSTITUTION:A diffraction grating at pitches of 4000Angstrom is formed onto an optical waveguide layer in an active region 2 The active region 21 and an optical modulation region 22 are isolated electrically by a proton injection layer 13. The well-layer thickness Lz of an MQW layer 2 is 100Angstrom and barrier- layer thickness thereof is 100Angstrom in the optical modulation region 22, though the well-layer thickness Lz of the layer 2 is 200Angstrom and barrier-layer thickness thereof is 200Angstrom in the active region 21, and film thickness differs in the regions 21 and 22. When forward DC currents are applied between the electrodes 6-12 in the region 21 at that time, laser oscillation having a wavelength of 30mum is acquired. On the other hand, a reverse bias is applied between electrodes 11-12 in the optical modulation region 22, thus allowing optical modulation.
其他摘要	目的：通过使第一区域中的量子阱层的阱层的厚度大于第二区域中的阱层的厚度，通过简单的结构工艺获得优异的振荡特性和调制特性。组成：在有效区域21中的光波导层上形成间距为4000埃的衍射光栅。有源区域21和光调制区域22通过质子注入层13电隔离。井层厚度Lz在光学调制区22中，MQW层2为100埃，其阻挡层厚度为100埃，尽管层2的阱层厚度Lz为200埃，有源区21中的阻挡层厚度为200埃，并且膜厚度在区域21和22中，当在区域21中的电极6-12之间施加正向DC电流时，获得波长为30μm的激光振荡。另一方面，在光调制区域22中的电极11-12之间施加反向偏压，从而允许光学调制。
申请日期	1988-06-21
专利号	JP1994009280B2
专利状态	失效
申请号	JP1988153241
公开（公告）号	JP1994009280B2
IPC 分类号	H01S5/00 \| G02F \| H01S5/40 \| H01S5/125 \| H01S5/026 \| H01S5/10 \| H01S5/223 \| H01S \| G02F1/025 \| H01S5/20 \| H01S5/227 \| H01S5/343 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	小鍜治明 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76954
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	石野正人,佐々井洋一. 半導体レーザ装置. JP1994009280B2[P]. 1994-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994009280B2.PDF（23KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文