Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 竹内 辰也 | |
| 1995-10-13 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 FBH構造(埋め込み構造)の半導体レーザ装置およびその製造方法に関し,レーザの高出力化の実現および高温での動作を改善して,飽和出力を増大させる。 【構成】 n型半導体基板(1),真性半導体から成る活性層(3),p型クラッド層(4),およびp型上部埋め込み層(5)を順次積層した半導体レーザ構造を有する。活性層(3)を含む上下の領域の側面が,p型埋め込み層(7)およびn型埋め込み層(8)によって埋め込まれている。p型埋め込み層(7)および/またはn型埋め込み層(8)は,エネルギーバンドギャップの異なる2種類以上の半導体から成る多層構造をしている。 |
| 其他摘要 | 目的：通过实现激光器的高输出并改善其高温操作来增加饱和输出。组成：该半导体激光器件具有半导体层结构，其中n型半导体衬底1，由本征半导体构成的有源层3，p型覆层4和p型上部掩埋层5是按顺序形成。包括有源层3的上部区域和下部区域的侧表面被p型掩埋层7和n型掩埋层8掩埋.p型掩埋层7和/或n型掩埋层8具有由具有不同能带隙的至少两种半导体制成的多层结构。 |
| 申请日期 | 1994-03-17 |
| 专利号 | JP1995263803A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994047033 |
| 公开（公告）号 | JP1995263803A |
| IPC 分类号 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L29/06 | H01L33/30 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 中島 洋治 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76889 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1995263803A[P]. 1995-10-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995263803A.PDF（36KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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