Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor light emitting device | |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting device |
| SUGAWARA, HIDETO; ISHIKAWA, MASAYUKI; KOKUBUN, YOSHIHIRO; NISHIKAWA, YUKIE; NARITSUKA, SHIGEYA; ITAYA, KAZUHIKO; HATAKOSHI, GENICHI; SUZUKI, MARIKO | |
| 1992-10-06 | |
| 专利权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 公开日期 | 1992-10-06 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | Disclosed is a semiconductor light emitting device, comprising a semiconductor substrate, a double hetero structure portion formed on the front surface of the substrate and consisting of an InGaAlP active layer and lower and upper clad layers having the active layer sandwiched therebetween, a first electrode formed in a part of the surface of the double hetero structure portion, and a second electrode formed on the back surface of the substrate. A current diffusion layer formed of GaAlAs is interposed between the double hetero structure portion and the first electrode, said current diffusion layer having a thickness of 5 to 30 microns and a carrier concentration of 5x1017 cm-3 to 5x1018 cm-3. |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体发光器件，包括半导体衬底，形成在衬底前表面上的双异质结构部分，由InGaAlP有源层和夹在其间的有源层的下包层和上包层组成，形成第一电极在双异质结构部分的表面的一部分中，以及在基板的后表面上形成的第二电极。由GaAlAs形成的电流扩散层插入在双异质结构部分和第一电极之间，所述电流扩散层的厚度为5至30微米，载流子浓度为5×1017cm-3至5×1018cm-3。 |
| 申请日期 | 1991-08-19 |
| 专利号 | US5153889 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US07/747128 |
| 公开（公告）号 | US5153889 |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/32 | H01S5/343 | H01S5/042 | H01S5/22 | H01S5/183 | H01S5/30 | H01L33/10 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | OBLON,SPIVAK,MCCLELLAND,MAIER & NEUSTADT |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76772 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUGAWARA, HIDETO,ISHIKAWA, MASAYUKI,KOKUBUN, YOSHIHIRO,et al. Semiconductor light emitting device. US5153889[P]. 1992-10-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US5153889.PDF（2739KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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