Semiconductor light-emitting element

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	Semiconductor light-emitting element
其他题名	Semiconductor light-emitting element
	ISHITA TAKESHI
	1983-11-08
专利权人	NIPPON DENKI KK
公开日期	1983-11-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain excellent light-emitting characteristics for the titled semiconductor light-emitting element by a method wherein the light-emitting layer or the clad layer thereof is formed by the element number of component of n+3 or above (n indicates the kind of group, wherein the element consisting said layer belongs, shown in a periodic table), thereby enabling to suppress the deterioration of light-emitting characteristics due to the flowing out of carrier. CONSTITUTION:The number of composition controlling parameters is set at 3 using the mixed crystal, having the element number of component of n+3 or above, for a light-emitting layer or a clad layer, and the value of said parameters are properly selected, thereby enabling to control the potential barrier in addition to the control over a grating constant and the size of band gap. As a result, the flowing out of carrier from the light-emitting layer to the clad layer is suppressed, and the light-emitting characteristics can be improved. The cross-sectional view of a laser diode, wherein AlGaInAsP is used as a light- emitting layer and InPn is used as a clad layer and a substrate which are one of actual examples of this invention, is shown in the diagram.
其他摘要	用途：通过一种方法获得标题半导体发光元件的优异发光特性，其中发光层或其包层由n + 3或更高成分的元素数形成（n表示种类其中，构成所述层的元素属于周期表中所示的组，从而能够抑制由于载流子流出而导致的发光特性的劣化。组成：对于发光层或包层，使用具有n + 3或更高成分元素数的混晶，将成分控制参数的数量设置为3，并且正确选择所述参数的值因此，除了控制光栅常数和带隙大小之外，还能够控制势垒。结果，抑制了载流子从发光层流出到包层，并且可以改善发光特性。在图中示出了激光二极管的横截面图，其中AlGaInAsP用作发光层，InPn用作包层和基板，它们是本发明的实际例子之一。
申请日期	1982-05-04
专利号	JP1983191486A
专利状态	失效
申请号	JP1982074871
公开（公告）号	JP1983191486A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76761
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	ISHITA TAKESHI. Semiconductor light-emitting element. JP1983191486A[P]. 1983-11-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983191486A.PDF（94KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文