Semiconductor light emitting element and manufacture thereof

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	Semiconductor light emitting element and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor light emitting element and manufacture thereof
	MURAKAMI TOMOKI
	1992-10-21
专利权人	NEC CORP
公开日期	1992-10-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve productivity by reducing once an epitaxially growing step. CONSTITUTION:After an epitaxially grown layer is formed on a high resistance substrate 1 formed with a recess, part of the substrate 1 is removed to form an electrode 5 on a surface of the layer formed in the recess, and a semiconductor light emitting element of a structure using a high resistance layer as a block layer can be manufactured in one epitaxially growing step, thereby improving productivity.
其他摘要	目的：通过减少一次外延生长步骤来提高生产力。组成：在形成有凹槽的高电阻基板1上形成外延生长层后，移除基板1的一部分以在凹槽中形成的层的表面上形成电极5，以及半导体发光元件使用高电阻层作为阻挡层的结构可以在一个外延生长步骤中制造，从而提高生产率。
申请日期	1991-01-10
专利号	JP1992297082A
专利状态	失效
申请号	JP1991001327
公开（公告）号	JP1992297082A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01L33/36 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76435
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	MURAKAMI TOMOKI. Semiconductor light emitting element and manufacture thereof. JP1992297082A[P]. 1992-10-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992297082A.PDF（70KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文