Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	ASAI AKIHIKO; MAKITA KATSUO; HANAMITSU YUKIKAZU; TSUCHIYA TOSHIO; YAMAGUCHI SHIGEMI
	1988-08-25
专利权人	アンリツ株式会社
公开日期	1988-08-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To lower a threshold electric current by a method wherein a mesa stripe composed of an inverted-mesa-shaped part, a vertical-shaped part and a forward-mesa-shaped part in succession is formed on a multilayer-film structure wafer which is formed by piling up semiconductor layers including an active layer. CONSTITUTION:A p-type InP clad layer 12, an n-type In1-xGaxAs1-yPy active layer 13 and an n-type InP clad layer 14 are grown in succession on a p-type InP substrate 1; after that, a belt-shaped insulating film 23 is formed. Then, an inverted-mesa-shaped part 20 is formed by a first etching process; a vertical- shaped part 21 and a forward-mesa-shaped part 22 are formed by a second etching process; after that, a p-type InP buried layer 15, an n-type InP buried layer 16 and a p-type InP buried layer 17 are grown in succession. The insulating layer 23 is removed, and an n-type electrode 18 and a p-type electrode 19 are formed. By this setup, because the active layer 13 can be made narrow, it is possible to stabilize an oscillation mode of a laser beam and to lower a threshold electric current.
其他摘要	用途：通过一种方法降低阈值电流，其中在多层膜结构晶片上形成由倒置台面形部分，垂直形状部分和前向台面形状部分连续组成的台面条带。通过堆叠包括有源层的半导体层来形成。组成：p型InP包层12，n型In1-xGaxAs1-yPy有源层13和n型InP包层14在p型InP衬底1上连续生长;之后，形成带状绝缘膜23。然后，通过第一蚀刻工艺形成倒置台面形部分20;通过第二蚀刻工艺形成垂直形状部分21和前方台面形状部分22;之后，依次生长p型InP埋层15，n型InP埋层16和p型InP埋层17。去除绝缘层23，并形成n型电极18和p型电极19。通过这种设置，因为可以使有源层13变窄，所以可以稳定激光束的振荡模式并降低阈值电流。
申请日期	1987-02-23
专利号	JP1988205980A
专利状态	失效
申请号	JP1987039596
公开（公告）号	JP1988205980A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76374
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	アンリツ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	ASAI AKIHIKO,MAKITA KATSUO,HANAMITSU YUKIKAZU,et al. Semiconductor laser. JP1988205980A[P]. 1988-08-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988205980A.PDF（372KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文