Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰 | |
| 1996-08-20 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 ストライプ構造をもつ半導体レーザにおいて、ストライプを埋める成長膜をより平坦化する。 【解決手段】 ストライプ底面の第1の半導体化合物に比べて、ストライプ外の上面の第2の半導体化合物をAlを多く含む半導体化合物とすることで、ストライプを埋めるように第2の成長を行うときに、ストライプ外上面は、表面に形成される酸化膜の影響で、成長開始時の成長速度がストライプ底面に比べ遅くなる。その結果、ストライプを埋める成長膜がより平坦化される。 |
| 其他摘要 | 用途：为了防止半导体化合物在条纹基底上的回熔，通过层叠第一半导体叠层结构，使其与激光振荡的有源层形成层叠状态并且不含Al，可以防止腐蚀，第二半导体叠层结构含有Al和第三半导体叠层结构。组成：当通过液相外延法在沟道和沟道的AlGaAs沟道形成层16上生长N型AlGaAs包层17时，在表面氧化膜的影响下，生长开始的生长速率降低因此，在沟道中的InGaAsP衍射光栅形成层15上生长的晶体的溶液在液相外延方法中易于过饱和，因为生长速率是结果的结果。如图3所示，在InGaAsP衍射光栅形成层15中形成的不规则衍射光栅不会因回熔而被腐蚀，并且由于第三半导体层叠结构18的平坦顶面，散热性能得到改善。 |
| 申请日期 | 1988-10-24 |
| 专利号 | JP1996213697A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995275497 |
| 公开（公告）号 | JP1996213697A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 梅田 勝 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76240 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂根 千登勢,瀧口 治久,工藤 裕章,等. 半導体レーザ素子. JP1996213697A[P]. 1996-08-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996213697A.PDF（44KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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