半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	深谷一夫
	1997-08-22
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1997-12-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a laser long in operating life where a through-dislocation functioning as a source of dislocation or a movement of dislocation induced from the crystal defect of a buried interface is held down by a method wherein the quantum well layer and the optical guide layer of a quantum well active layer are made to contain In. CONSTITUTION:A multilayer laminated structure provided with a double hetero-structure composed of a first conductivity type clad layer 2, a quantum well active layer 3, and a second conductivity type clad layer 4 is provided onto a substrate 1, the quantum well active layer 3 is composed of multi-quantum well layers 12 and 14 and optical guide layers 11 and 15 larger than the layers 12 and 14 in aluminum component, and the quantum well layers 12 and 14 and the optical guide layers 11 and 15 are made to contain In. Or, on. optical guide layers 21 and 27 contain In. A part of the second conductivity type clad layer 4 is removed so deep as to reach to the active layer, a part where the clad layer 4 has been removed is filled with a first conductivity type current block layer b, and an In containing layer is inserted in the second conductivity type clad layer 4 between the active layer and the current block layer. Or, the removed part is successively filled with an In containing layer and the conductivity type current block layer b.
其他摘要	目的：获得长寿命的激光器，其中通过其中量子阱层和光导的方法抑制作为位错源或由掩埋界面的晶体缺陷引起的位错运动的贯穿位错。量子阱有源层的层包含In。组成：在基板1上提供由第一导电类型包层2，量子阱有源层3和第二导电类型包层4组成的具有双异质结构的多层层叠结构，量子阱有源层图3中的多量子阱层12和14以及比铝部件中的层12和14大的光导层11和15，并且量子阱层12和14以及光导层11和15被制成包含多个量子阱层12和14。在。或者，在。光导层21和27含有In。第二导电型包层4的一部分被去除到达有源层的深度，去除了包层4的部分填充有第一导电型电流阻挡层b，并且In含有层是插入有源层和电流阻挡层之间的第二导电类型包层4中。或者，去除的部分依次填充In含有层和导电型电流阻挡层b。
申请日期	1990-07-24
专利号	JP2687694B2
专利状态	失效
申请号	JP1990195564
公开（公告）号	JP2687694B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76170
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	深谷一夫. 半導体レーザ. JP2687694B2[P]. 1997-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2687694B2.PDF（46KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文