Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 玄永 康一; 田中 明; 奥田 肇; 島田 直弘; 伊藤 義行; 塩澤 秀夫; 渡邊 実 | |
| 2000-12-08 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】電流阻止層の開口部に形成される埋込み層の、高次の結晶面方位方向の異常成長のない半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】InGaAlP系半導体レーザにおいて、ストライプ状の開口部を有する電流阻止層8と、電流阻止層8上に形成されたp型埋め込み層9とを具備し、電流阻止層8の層厚は0.1〜0.5μmであることを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 提供在电流阻挡层的开口部分中形成的掩埋层的高阶晶面取向方向上没有异常生长的半导体激光器。 在InGaAlP半导体激光器中提供具有条形开口和形成在电流阻挡层上的p型掩埋层的电流阻挡层，并且电流阻挡层的层厚度为并且是0.1至0.5μm。 |
| 申请日期 | 1999-05-27 |
| 专利号 | JP2000340885A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999147427 |
| 公开（公告）号 | JP2000340885A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 外川 英明 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76122 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄永 康一,田中 明,奥田 肇,等. 半導体レーザ. JP2000340885A[P]. 2000-12-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000340885A.PDF（86KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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