Semiconductor laser device and manufacture thereof

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	Semiconductor laser device and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor laser device and manufacture thereof
	OKAJIMA MASASUE; MOGI NAOTO; KURIHARA HARUKI
	1983-03-25
专利权人	TOKYO SHIBAURA DENKI KK
公开日期	1983-03-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable to form a current stricture structure of high effect and improve the yield of buried semiconductor laser, by combining easy and high reproducibility processes without necessitating mask-alignment operations. CONSTITUTION:The mesa uppermost part 5 is constituted of a GaAs layer for ohmic electrode formation, and the buried layer 6 is constituted of an AlxGa1-xAs layer, e.g. Al0.35Ga0.65As layer. An appropriate seelective crystal growing mask (SiO2, Si3N4, etc.) is previously provided on the GaAs layer 5 for ohmic electrode formation, and, after forming a mesa including an active region by an etching, the secondary crystal growth to grow the buried layer is performed, and thereafter the selective crystal growing mask is removed. By utilizing the difference of etching speeds for anode oxide films 9a, 9b of GaAs and AlGaAs, only the anode oxide film 9a on the GaAs layer 5 can be selectively removed even without using the mask for selective etching. For the etchant, what can etch the anode oxide film 9a of GaAs, e.g. HCl, H2SO4, NaOH can be used.
其他摘要	目的：通过结合简单和高重复性工艺，无需掩模对准操作，可以形成高效电流限制结构，提高埋入半导体激光器的产量。组成：台面最上部5由用于欧姆电极形成的GaAs层构成，埋层6由AlxGa1-xAs层构成，例如由AlxGa1-xAs层构成。 Al0.35Ga0.65As层。预先在GaAs层5上提供适当的选择性晶体生长掩模（SiO 2，Si 3 N 4等）以形成欧姆电极，并且在通过蚀刻形成包括有源区的台面之后，二次晶体生长以生长掩埋层然后，除去选择性晶体生长掩模。通过利用GaAs和AlGaAs的阳极氧化膜9a，9b的蚀刻速度的差异，即使不使用用于选择性蚀刻的掩模，也可以仅选择性地去除GaAs层5上的阳极氧化膜9a。对于蚀刻剂，什么可以蚀刻GaAs的阳极氧化膜9a，例如，可以使用HCl，H 2 SO 4，NaOH。
申请日期	1981-09-21
专利号	JP1983050789A
专利状态	失效
申请号	JP1981147949
公开（公告）号	JP1983050789A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75993
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOKYO SHIBAURA DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	OKAJIMA MASASUE,MOGI NAOTO,KURIHARA HARUKI. Semiconductor laser device and manufacture thereof. JP1983050789A[P]. 1983-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983050789A.PDF（153KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文