Semiconductor laser

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	MATSUDA OSAMU; HORII SHINICHI; SATOU HIROMICHI
	1985-04-17
专利权人	SONY KK
公开日期	1985-04-17
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable the reduction of noise by multimodes and to contrive to facilitate the design by obtaining the reduction in astigmatic difference and the symmetry and stability of a far field pattern by a method wherein the titled device is enabled to have both properties of gain guide type and index guide type. CONSTITUTION:A current restricting region layer 17 serving as a photo absorbing layer having a smaller energy gap than a clad layer 15 and having the conductivity type different from that of the layer 15 is formed in the layer 15, a current concentration part of stripe form being formed by providing a lack part 17a of stripe form at the center of the layer 17 and thus constructing an internal stripe structure. The width W of the part 17a is selected at 3-5mum. Further, the difference in effective refractive index DELTAn(n-nS) when the refractive index of the part corresponding to the part 17a 9s (n), and the refractive index nS under the layer 17 is nS is 8X10-2X10.
其他摘要	目的：通过多模式降低噪声，并通过一种方法获得散光差异的减少和远场模式的对称性和稳定性，从而设计便于设计，其中标题设备能够同时具有增益指南的两个属性类型和索引指南类型。组成：电流限制区域层17用作光吸收层，其具有比包层15更小的能隙并且具有与层15不同的导电类型，形成在层15中，条纹形式的电流集中部分通过在层17的中心处设置条形缺口部分17a并因此构成内部条纹结构来形成。部分17a的宽度W选择为3-5μm。此外，当对应于部分17a 9s（n）的部分的折射率和层17下的折射率nS是nS时，有效折射率Δ（n-nS）的差值是8×10-4 -XX10。。
申请日期	1983-09-22
专利号	JP1985066894A
专利状态	失效
申请号	JP1983175425
公开（公告）号	JP1985066894A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/223 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75920
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY KK
推荐引用方式 GB/T 7714	MATSUDA OSAMU,HORII SHINICHI,SATOU HIROMICHI. Semiconductor laser. JP1985066894A[P]. 1985-04-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1985066894A.PDF（327KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文