Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	KUWAMURA YUJI
	1988-07-26
专利权人	NEC CORP
公开日期	1988-07-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor laser having excellent high-speed modulation characteristics and a narrow oscillation spectral line width by a method wherein a superlattice structure subjected to modulation doping is adopted as a structure of an active layer and a high-resistance layer is used as a current constricting structure. CONSTITUTION:A high-resistance InP clad layer 2, a superlattice structure active layer 3 subjected to modulation doping formed by growing alternately a p-type or n-type InP barrier layer and a non-doped InGaAs well layer, a high-resistance InP clad layer 6 and a p-type InGaAsP ohmic layer 7 are grown by crystallization in order on a high-resistance InP substrate 1 and part 12 of the ohmic layer 7 is etched away. Then, after an Si nitride film 13 is grown, part 14 thereof is etched away and thereafter, a semiconductor crystal region 15 including at least the superlattice structure active layer is etched away using the film 13 as a mask, an n-type InP layer 8 is selectively grown using the film 13 as a mask and the film 13 is removed. Then, an SiO2 film 16 is grown, part 17 of the film 16 is removed, Zn is diffused up to a region 9 including at least the active layer 3 using the film 16 as a mask and a p side electrode 11 and an n side electrode 10 are formed.
其他摘要	目的：通过采用调制掺杂的超晶格结构作为有源层结构的方法获得具有优异的高速调制特性和窄振荡谱线宽度的半导体激光器，并使用高阻层作为目前的限制结构。组成：一个高阻抗InP包层2，一个超晶格结构有源层3受到调制掺杂形成交替p型或n型InP阻挡层和非掺杂InGaAs阱层，高阻抗InP通过在高电阻InP衬底1上依次结晶生长包层6和p型InGaAsP欧姆层7，并且蚀刻掉欧姆层7的部分12。然后，在生长Si氮化物膜13之后，蚀刻掉其部分14，然后，使用膜13作为掩模，n型InP层，蚀刻掉至少包括超晶格结构有源层的半导体晶体区域15。使用膜13作为掩模选择性地生长图8，并去除膜13。然后，生长SiO 2膜16，去除膜16的部分17，使用膜16作为掩模将Zn扩散到至少包括有源层3的区域9和p侧电极11和n侧电极形成10个。
申请日期	1987-01-21
专利号	JP1988181391A
专利状态	失效
申请号	JP1987013006
公开（公告）号	JP1988181391A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75728
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KUWAMURA YUJI. Semiconductor laser. JP1988181391A[P]. 1988-07-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988181391A.PDF（209KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文