Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| MIURA SHUICHI; KIHARA KATSUHIRO | |
| 1991-10-15 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1991-10-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To concentrate an electric current in an active layer and to reduce a threshold current by a method wherein the impurity concentration of a semiconductor layer constituting a buried layer is made smaller than or identical to that of a first clad layer. CONSTITUTION:The impurity concentration of a semiconductor layer 6 constituting a first layer for a buried layer 5 is made smaller than or identical to the impurity concentration of a first clad layer 2. As a result, the resistance component in the semiconductor layer 6 of the first layer for the buried layer 5 is identical to or larger than the resistance component of the first clad layer 2, and a leakage current which is passed through the buried layer 5 is reduced. Consequently, an injected electric current can be concentrated in an active layer 3, a threshold current is reduced and a temperature characteristic can be enhanced. |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法将电流集中在有源层中并降低阈值电流，其中使构成掩埋层的半导体层的杂质浓度小于或等于第一覆层的杂质浓度。组成：使构成埋层5的第一层的半导体层6的杂质浓度小于或等于第一包层2的杂质浓度。结果，半导体层6中的电阻分量掩埋层5的第一层与第一包层2的电阻分量相同或者更大，并且穿过掩埋层5的漏电流减小。因此，注入的电流可以集中在有源层3中，阈值电流减小并且可以提高温度特性。 |
| 申请日期 | 1990-02-06 |
| 专利号 | JP1991231485A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990028041 |
| 公开（公告）号 | JP1991231485A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75668 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MIURA SHUICHI,KIHARA KATSUHIRO. Semiconductor laser. JP1991231485A[P]. 1991-10-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1991231485A.PDF（139KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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